前道 Fab · 逻辑 / 存储
Front-End Fab
来料 IQC · 光刻前背面与几何管控 · Fast ADI · 刻蚀 / 薄膜 / CMP 后缺陷与形貌监控 · 设备洁净度
PRODUCT CENTER
面向前道 Fab、先进封装、功率器件与化合物半导体,覆盖缺陷检测、纳米形貌与几何量测。
APPLICATIONS
按产线节点选平台,多个腔体可共用一个 EFEM 组合成一台。
Front-End Fab
来料 IQC · 光刻前背面与几何管控 · Fast ADI · 刻蚀 / 薄膜 / CMP 后缺陷与形貌监控 · 设备洁净度
Advanced Packaging
RDL / Bump 图形缺陷 · TSV / TGV 深度与 CD · 键合空洞 · 叠层厚度 · 翘曲
Power Devices
沟槽 CD / 深度 · 减薄背面形貌 · 背面颗粒 · 图形片 100% 全检
Compound & Substrates
SiC / GaN 衬底与外延缺陷 · 纳米形貌 · 颗粒 · 边缘 · 几何分档
Process step × platform coverage

无图形晶圆缺陷检测设备
全片高速扫描裸硅、外延、氧化、氮化与金属表面,颗粒、划伤、Haze 计数定位并自动分类,灵敏度覆盖 μm 级到 1x nm。

全自动图形晶圆光学检测设备
自研大视野镜头配合明 / 暗场照明全片检测图形缺陷,可选配 3D AOI 与 PL 通道,输出芯粒级缺陷地图。

全自动晶圆背面检测设备
非接触承载、全片一次成像,免 Recipe 检出背面颗粒、划伤、崩边、污渍与 Chuck 印,与光刻、CMP 主设备同速在线。

全自动晶边检测与量测设备
全周扫描上斜面、Apex 与下斜面,检出边缘缺陷并同时量测边缘轮廓,检测与量测同一机台完成。

快速过程控制设备
Recipe-free 快速宏观检测与过程监控平台,主打光刻后显影检测(Fast ADI),每片晶圆快速全检、异常即时预警。

全表面纳米形貌检测设备
晶圆正、背面全表面纳米级形貌成像,纵向精度可达 2 nm;键合空洞全片非接触检测,可取代 CSAM。

SiC 晶圆宏观缺陷自动检测设备
单次扫描同时采集正背面,检出 SiC 衬底与外延片的表面弱划痕、宏观缺陷与晶格缺陷,并自动分类分级。

多通道晶圆量测设备
正反面探头同步、全程非接触的多通道光学量测平台,厚度、翘曲、膜厚与 TSV / TGV 一台完成。

全晶圆几何量测设备
面向 300 mm 图形片与裸片,一次成像即得整片 Bow、Warp、厚度 / TTV、平坦度与中低频形貌,满足量产在线全检。
SOFTWARE & PLATFORM
智能缺陷分类与良率管理平台
贯穿全部设备的 AI 软件层:把检测图像与数据自动分类、分级,变成可统计、可预警、能指导工艺与设备维护的良率洞察。
节点库
图像读取图像预处理YOLO 检测缺陷分类Result 输出PRODUCT INQUIRY
我们将根据材料、工艺环节与关注参数匹配相应设备平台。