明 / 暗场 · PL
成像通道可选
多通道光学
明场、暗场、PL 及多波段成像,匹配不同材料与缺陷特征。

CORE CAPABILITIES
从光学信号采集到缺陷分类与量测结果输出,围绕量产现场建立完整的数据链路。
明 / 暗场 · PL
成像通道可选
明场、暗场、PL 及多波段成像,匹配不同材料与缺陷特征。
亚微米
TSV / TGV 最小 CD
厚度 / TTV、Bow / Warp、膜厚与沟槽深度,非接触完成。
2 nm
纵向精度
正背面同扫,看清位错裂纹、外延台阶与键合空洞。
MES / YMS
检测数据直接对接
PlanckADC 自动分类分级,SPC 与 Wafer Map 溯源。
MODULAR PLATFORM
一个 EFEM 可对接多个检 / 量测腔体,检测与量测功能任意组合,一次上片全部完成。


同一 EFEM 对接多个不同的检 / 量测腔体;Load Port 更多的 EFEM 可以带更多腔体,按产线需求配置。
九大平台系列的检测 / 量测功能任选,相同或不同均可,一次上片全部完成。
电气、上 / 下功能模块、照明与成像单元都是独立模块,便于维护、升级与改配置。
共享自动化、统一软件与备件,省洁净室面积、省人力;操作员只需学一次。
PRODUCT PORTFOLIO
01 / 主推系统
多通道晶圆量测设备
正反面探头同步、全程非接触的多通道光学量测平台,厚度、翘曲、膜厚与 TSV / TGV 一台完成。


全自动图形晶圆光学检测设备
自研大视野镜头配合明 / 暗场照明全片检测图形缺陷,可选配 3D AOI 与 PL 通道,输出芯粒级缺陷地图。
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SiC 晶圆宏观缺陷自动检测设备
单次扫描同时采集正背面,检出 SiC 衬底与外延片的表面弱划痕、宏观缺陷与晶格缺陷,并自动分类分级。
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全表面纳米形貌检测设备
晶圆正、背面全表面纳米级形貌成像,纵向精度可达 2 nm;键合空洞全片非接触检测,可取代 CSAM。
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全自动晶边检测与量测设备
全周扫描上斜面、Apex 与下斜面,检出边缘缺陷并同时量测边缘轮廓,检测与量测同一机台完成。
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TECHNOLOGY PLATFORM
九大平台系列共享同一自动化底座与统一软件,一个 EFEM 可对接多个检 / 量测腔体,组合成一台设备。
明场、暗场、PL 与多波段组合,为不同缺陷选择更敏感的成像方式。
一个 EFEM、多个腔体,检测与量测功能任意组合,一次上片全部完成。
AI 分类分级、SPC 与 Wafer Map 溯源,对接 MES / YMS 指导工艺与维护。